構成
応答時間 立ち上がり時間(バイアスON時) : 3 ms
立ち下がり時間(バイアスOFF時) : 5 s
液晶可変遅延器の特徴
○ 3~100GHzにわたって分散の無い線形の遅延特性
○ 磁性体を用いた遅延器に比べ温度特性が良い
○ 単位遅延時間あたりの挿入損失が大きい
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Model No. | 可変遅延時間(ps)*1 | バイアスOFF時の挿入損失(dB)*2 | ||||||||
0V | 2V | 8V | 16V | 24V | 32V | 10GHz | 20GHz | 30GHz | 40GHz | |
EVD-20p | 0 | 11 | 14 | 15 | 17 | 20 | 7 | 12 | 17 | 22 |
EVD-40p | 0 | 23 | 28 | 30 | 34 | 40 | 14 | 24 | 33 | 43 |
EVD-60p | 0 | 34 | 41 | 45 | 50 | 60 | 21 | 36 | 50 | 65 |
*1 : 可変遅延時間の10倍の固定の遅延時間が挿入される。
*2 : バイアスON時はこの値より小さくなる