栅电极正下方的MOSFET结构半导体耗尽层和介电膜
相对介电常数（εr'）测量设备/系统

Model No. DPS48

该系统测量MOSFET结构半导体耗尽层和直接在栅电极下方的介电膜的相对介电常数。需要绝缘膜的厚度和掺杂浓度。 *使用偏置

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规格

测量频率

20Hz ~ 2MHz
※取决于型号

测量范围和精度

相对介电常数：1.05-1000　　　精度±3%~7% （取决于LCR表的型号和测量环境）
*LCR仪表型号示例

可测量温度（使用对应夹具）

10k~200℃　
※详细请与我方联系。
※凭借Keycom在超低温产品方面的专业知识和经验，我方提供10K〜低温低温恒温器。

*自动进行测量。
*通过设计电极结构，可以进行高达100MHz的测量。

测量结果由计算机处理，并以图形形式打印出来，如上所示。
另外，数值被保存在文件中，并且可以使用EXCEL等执行各种处理。