300GHz~1μHz(超高周波/ミリ波/マイクロ波/UHF/VHF/超低周波)のキーコム:
ご要望に応じて少量から設計・製作・測定 致します。お気軽にお問合せ下さい。

相对介电常数·介电损耗角正切·相对磁导率测量系统

Model No. DPS
特性
凭借电介质和磁性材料的长期经验,KEYCOM正在开发具有极高相对介电常数和相对磁导率精度的实用测量设备。
并且还在开发用于软性基板,半导体,薄膜,微波和毫米波基板,微波和毫米波谐振器以及液体的系统。

此外,我们还开发、销售具有以下特长的测试仪器。
・±1%的高精度 
・非破坏性 
・0.1μm超级薄膜对应 
能测试固体・板材・胶片・粉状・液体(包括油等)・多层构造物等
・可测试范围 10μHz-140GHz(需使用复数仪器)

介电常数测量方法的选择

根据测试材料进行选择

只列出代表性案例。表格内不存在的话敬请垂询。
Ο : 最佳
∆ : 可测试
    多层结构体 印刷线路板 胶片(超薄膜) 粉状物 板材 木偶 电波吸收材料 噪音抑制板材 泥土 水泥
沥青
蔬菜瓜果
野菜
液体 天线罩 陶瓷 介质谐振器 半导体 强电介质  
1 .开放型谐振器法 20GHz~110GHz Ο Ο Ο Ο Ο   谐振法系列
适用低损耗材料
高精度
点频率
无需相位测量
2. 摄动法空洞谐振器法 200MHz~10GHz Ο Ο Ο Ο Ο Ο Ο Ο   Ο
3. 带状线谐振器法 800MHz~14GHz Ο Ο Ο Ο
4. 微带线谐振器法 800MHz~14GHz Ο Ο Ο Ο
5. 盘式谐振器法 3GHz~70GHz Ο Ο Ο Ο
6. LC谐振器法 10MHz, 50MHz, 100MHz Ο Ο Ο      
7. 平行导体板型介电谐振器法 3GHz~26.5GHz Ο Ο  
8. 自由空间频率变化法
2.6GHz~110GHz Ο Ο Ο Ο Ο Ο           频率变化法系列
适用低损耗材料
适合有厚度材料
9. 封闭系统频率变化法(同轴波导,波导) 10MHz~60GHz Ο Ο   Ο Ο Ο           Ο
10. 探测方式(开放)S参数法 30MHz~90GHz Ο Ο Ο Ο Ο Ο S参数法系列
适用于高损耗材料
精度低,但可以测量宽频
12.13.14可同时测量透磁率
11. 探测方式(短路)S参数法 100kHz~10GHz Ο Ο
12. 封闭系统S参数方法(同轴波导,波导)也可同时测量μr 12MHz~40GHz Ο Ο Ο Ο
13. 可用空间S参数法
也可同时测量μr
2.6GHz~110GHz   Ο               Ο
14. 自由空间入射角变化法S参数法
也可同时测量μr
2.6GHz~110GHz Ο Ο Ο Ο Ο
15. 传播延时同轴管方式S参数法
45MHz~40GHz Ο Ο Ο Ο Ο Ο Ο
16. 低频用开放同轴反射法 1MHz-1GHz Ο Ο        
17. 静电容量法 1Hz~1GHz Ο Ο Ο Ο 静电容量法系列
可测低频带
高精度
可测宽频
18. MOSFET结构半导体耗尽层 栅电极正下方有一层介电膜
20Hz~2MHz               Ο
19. 椭圆测量法
也可同时测量μr
26.5~110GHz Ο Ο Ο 椭圆偏光法法系列

根据频带、相对介电常数、介电损耗角正切(εr', tanδ)进行选择

根据频带、相对介电常数、介电损耗角正切(εr'/tanδ)进行选择

根据要求选择

只列出代表性案例。表格内不存在的话敬请垂询。

希望高精度测量超薄印刷电路板等薄膜
(胶片测量・多层结构物测量)
摄动法
希望测量无法单独存在的高精度薄膜等
(胶片测量・多层结构物测量)
摄动法
希望高精度(εr ±1% tanδ±3%)测试 摄动法
只有1mm大小的试样 探测法
希望超高频(20GHz-110GHz)且高精度测试 开放型谐振器法
希望超低频(10μHz-10Hz)测试 静电容量法
希望测试液体 探测法
希望测试粉状物 探测法
希望测试汽油等挥发性物质 探测法
希望变换温度进行测试 静电容量法
对精度无较高要求(εr ±7% tanδ±10%)、
只要知道大致数值
S参数法
试样较大、但不想切割或无法切割
(非破坏)
微带线法
(谐振法)
只要简单测量 探测法
希望一起测试介电常数、介电损耗角正切以及透磁率 S参数法

KEYCOM的测试设备以及测试技术的特长

Ο 我们在提供测试服务中积累了丰富的经验,能够建议确实的测试方法・设备。
Ο 在日本进行制作、能根据客户的要求迅速答复。
Ο公司社长是IEC(International Electrotechnical Commission / 国际电子技术委员会规格草案制作成员。
Ο 本公司开发的介电常数·透磁率等测量设备和电波吸收测试设备均通过IEC标准以及JIS 标准。

关于介电常数和透磁率测量设备

Ο 固体・板材・胶片・粉状物・液体(包括油等)・多层构造物等多数要求、均可提供测试方案。(可定制。具丰富测试经验、高频部件、电缆等的开发经验、 能切实答复客户的要求)
Ο 针对10μHz~110GHz的测试要求、能提供测试设备方案。
Ο 在微波带测试时、可提供εr:精度±1%、tanδ:±3% 的设备方案。
Ο 在毫米波带的测试时、可提供εr:精度±3%、tanδ:±7% 的设备方案。
Ο 本公司是介电常数测试的IEC化委员以及JIS 化委员。
Ο 其它测试设备也同样在日本制作、定制和技术问题均可商谈、并能尽快答复。















































传播延迟法 缩减型 共面线法 相对介电常数·介电损耗角正切(εr',tanδ)测试设备·系统

谐振法 (JIS化・开放式谐振法 JIS R 1660-2)
KEYCOM的铃木洋介作为规格草案起草委员参与制作,并于2004年春制作完成)

谐振法 开放型谐振器 板材及超薄膜用 毫米波 相对介电常数、介电损耗角正切(εr'/tanδ) 测试设备・系统
dps03002990714-18
由于是采用开放型的法布里 - 珀罗(Fabry-Perot)谐振器,因此它是一种兼容薄膜的测量设备、具有毫米波范围内的高测量精度以及简单的样品加载和卸载功能。即使tanδ很小、也可以测量
另外,Windows电脑可自动进行测量。
发表于2005 IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference OTTAWA,ONTARIO,CANADA
2004年JIS规格制定。 JIS R 1660-2
・ εr ±3% tanδ ±7% 的高精度测试
・ 能对10μm~0.1mm的極薄膜进行测试
・ 操作简单
・ 测试范围 18GHz-110GHz
谐振式 带状线式 板材用 相对介电常数,介电损耗角正切 (εr'/tanδ) 测量设备/系统
dps50002070405-07
在800MHz至14GHz的频率范围内、εr约为1至40,能测试介电损耗相对较小片材的εr和tanδ的系统。
可测量绝缘片εr、tanδ的测量套件、依据ASTMD3380 Standard method of Test for Permittivity (Dielectric Constant) and Dissipation Factor of Plastic-Based Microwave Circuit Substrates 及IPC-L-125 Specification for Plastic Substrates, Clad or Unclad, for High Speed/High Frequency Interconnections。
盘式谐振器型介电常数测量系统
dps51
用于测量在3 GHz至70 GHz频率之间、介电损耗εr'约为1.05至10时尺寸相对较小的薄片材料的εr'及tanδ的测试仪器・系统。
本测试法于2012年在IEEE IMS发表。
Hirosuke Suzuki, Masato Inoue "Complex Permittivity Multi-Frequency Measurements for Dielectric Sheets Using a Circular Disk Resonator"
2012 IMS2012 THPB-1
谐振法 微波带状线 板材 相对介电常数、介电损耗角正切(εr'/tanδ) 测试设备·系统
dps01002000313-08
用于测量频率为800 MHz至14 GHz时介电损耗相对较小且εr约为1至40的材料的εr和tanδ的测试仪器・系统。
可测量超薄电介电片材的εr,tanδ的测量套件、依据ASTMD3380 Standard method of Test for Permittivity (Dielectric Constant) and Dissipation Factor of Plastic-Based Microwave Circuit Substrates 及 IPC-L-125 Specification for Plastic Substrates,Clad or unclad,for High Speed/High Frequency Interconnections。

摄动法

摄动法 试样孔穴封闭型 空洞谐振器法 超薄板材用 相对介电常数,介电损耗角正切(εr'/tanδ) 测试设备・系统
dps18002031022-11
依据ASTM D 2520标准的用于测量样品微波中的εr和tanδ的摄动法高精度测试设备。
这是在1992年JISC 2565的JIS标准中规定之方法的基础上,通过封闭插入金属的孔穴来提高测试精度。
・±1% tanδ ±3% 的高精度测试
・能测试0.1μm的超级薄膜
・多层构造物(蒸镀膜等)也能测试
・固体・板材・胶片・粉状物・液体(包括油等)・多层构造物等均能测试
・操作简便
・测试范围 200MHz-20GHz

传播延迟法

此测试法的论文于2002年12月在电子信息和通信协会杂志J85-C第12号PP.1149-1158登载。
传播延迟法 缩减型 同轴管法 相对介电常数·介电损耗角正切 (εr'/tanδ)测量设备·系统
dps05002981027-10
是频率为45MHz至40GHz之间、εr约为1.05至500的液体εr及tanδ的测试设备·系统。此外,通过施加偏压,也能评价液晶等的εr和tanδ的电压依赖性。
传播延迟法 缩减型 自由空间法 相对介电常数·耗散系数(εr', tanδ) 测试设备·系统
dps06002000831-05
是频率在500MHz至40GHz、εr约在1.05から500的材料εr及tanδ的测试设备・系统。特别对损耗较大的试样的测试发挥效果
dps07002010619-24
可测量500 MHz至65 GHz频率间液体εr和tanδ的测试设备・系统。 在共面线上用液体覆盖约0.2mm厚度进行测量。该系统内藏共面线电磁场模拟软件、来诱导液体与共面线形成的电介电和有效相对介电常数以及有效tanδ液体的εr和tanδ。通过施加偏压,可以评估液晶等的εr和tanδ电压依赖性。
传播延迟法 减缩型 带状线法 相对介电常数·介电损耗角正切(εr',tanδ)测试设备·系统
dps15

用于测量频率在500 MHz到40 GHz之间电介电片材和粘土材质试样的εr和tanδ的测试设备。在测试粉状物等时,能增加用于计算真实介电常数和真实比重的真实介电常数和tanδ的软件和温度测量设备以及温度相关性计算软件。εr和tanδ的电压依赖性也可以通过施加偏压方式来评估。

探测法

探测法 开放式 相对介电常数·介电耗散角正切(εr'/tanδ)测试装置·系统
dps16002021001-11
・低频(30MHz)至高频(90GHz)范围内均可选择。
・固体、液体、粉状物均能测试。
・能运用纯水以外基准/标准试样(丙酮等)。
・操作简便。
KEYCOM探头法的特长
Ο可对应纯水以外的标准试样
作为校正用的标准试样,能使用纯水以外的丙酮。丙酮的介电常数等特性均已调查明确。它在空气中较难吸收水分、不易变质等介电常数特性均显示与纯水不同。
Ο有较多种探测器
有外径φ1.2mm、φ2.2mm、φ3.6mm以及φ6.6mm,对粉状物试样的测试有效。颗粒较大时可用外径较大的探测器。
Ο频率范围较大
通常使用的探测器法的最大频率为50GHz 。但是KEYCOM能达到90GHz。
探头法(短路) 相对介电常数・介电损耗角正切 (εr'/tanδ) 测量装置・系统
dps25002021001-11
・低频(100KHz)至高频(10GHz)均能测试。
・也能测试固体、液体。
・垂直于样品表面的方向有一电场、其与微带线和带状线电场方向一致。。
・通过分开使用2种不同的电极、能涵盖较广范围的频率。

S参数法

S参数法 反射法以及透过法 同轴管 波导管类、相对介电常数,介电损耗角正切,相对透磁率(εr'/tanδ/μr'/μr“)测试设备・系统(εr'/tanδ/ μr'/ μr'') 测试设备・系统
dps08002011118-04
本测试设备能用反射法及透过法的2种测试方法来测试、根据不同目的能分开运用。两种方法对复数εr和复数μr均能同时测试、各不同测试法请参照下列。
电波吸收材料的吸收率和反射率均能透过计算复数εr和复数μr得出结果。
S参数法 自由空间型 平板透过法 相对介电常数,相对磁导率(εr'/μr')测试设备
dps21002040614-08
与同轴管类和波导管类不同、该夹具中因无需放置样品,因此不会出现由气隙引起的误差。 另外、根据试样的位置、特性差异、在凹凸不均的情况下能使用获得实用数据。
另外,由于镜头是安装在天线上且较小型,所以样品可以在平面波的情况下进行测试。测试可通过连接矢量网络分析仪和电脑测试夹具、透过S参数法以及S11来观测进行。

静电容量法

静电容量法 平板、液体、胶状物、超薄膜、复合薄膜 相对介电常数・介电损耗角正切 (εr'/tanδ) 测试设备・系统
dps17002020619-17
能测试各种介质材料的静电容量,介电常数和介电损耗角正切。
具有高精度分辨率和较宽距离测量范围。

入射角度改变法

入射角度改变法 相对介电常数、介电损耗角正切、相对透磁率 (εr'/tanδ/ μr'/ μr'') 测试设备・系统
dps22002040516-08
利用TE和TM波来测试反射衰减量以及反射相位角的入射角度依赖性。
利用TE和TM波来测试反射衰减量以及反射相位角的入射角度依赖性。 通过这个测量值反向推算,可以获得复数相对介电常数和复数渗透率。 与同轴管类型和波导类型不同、该夹具中并不放置样品,因此不会出现由气隙引起的误差。 另外,由于透镜安装在天线上、因而能得到较高的测试精度,尽管设备较小型化但同样可以通过平面波测量。 另外、由于从天线发射的无线电波是平行波束,所以可以采用更小的试样。
另外、εr和μr针对各个频率都是可知的。

透过衰减量法

毫米波 相对介电常数/介电损耗角正切 (εr'/tanδ) 以及透过衰减量 测试系统
rts 02

当毫米波穿透平板时、从频率和透射衰减量之间的关系来得出出相对介电常数和tanδ。
(注)测量值是测量频带的平均值。 实际运作不存在任何问题。
由于镜头安装在天线上且非常小型化、用平面波也能测试,还能获得较高的测试精度。
另外,由于可以在天线附近放置试样、所以样品可以很小。
如果使用相应软件,还可以测量无线电波吸收材料等的反射衰减量。

测试范围 频率范围 26.5~110GHz 试样尺寸 100mm × 100mm以上、300mm × 300mm以下
(注)即使是高频率、很少的样品也可以测量
通过使用标准矢量网络分析仪、在校准之后、将GATE应用于透镜之外、就能进行分辨率在透过衰减量0.1 dB和介电常数0.01的测试。
另外、还可使用标量网络分析仪和合成扫地机。
 
微波 相对介电常数/介电损耗角正切(εr'/tanδ)和传输衰减测量测试系统
rts04

根据微波透过 平板时的频率和透过衰减量的关系、能够计算出相对介电常数和tanδ
(注)测量值时测量频带的平均值。实用上的没有问题。
由于在天线上安装了镜片、使得外型变得紧凑、加上用平面波测量样本、从而能够得到很高的测量精度。
另外,因为天线附近能放置样本,能够使用很少的样本。
还有,如果使用选购的软件,也能测量稀薄材料等的反射衰减量

测定范围 频率范围 5.0~26.5GHz 试样尺寸 300mm × 300mm以上
(注)即使是高频率、很少的试样也可以测量
使用标准矢量网络分析仪、校准后,镜片以远的GATE可以透过0.1dB,介电率0.01的分辨率来测量。
另外、也可以使用标色网路分析器和合成扫描仪。
 
垂直型毫米波相对介电常数/介电损耗角正切(εr'/tanδ)和传输衰减测量系统相对介电常数/介电损耗角正切(εr'/tanδ)和透过衰减测量 测试系统
rts03
能在26.5GHz至110GHz范围测试的系统。
当毫米波穿过平板时、我们从频率和透过衰减量之间的关系能推算出相对介电常数和tanδ。
(注1)测试值是测量频带的平均值。 实际应用并无任何问题。
(注2)该系统中无法计算电波吸收材料的反射衰减量。如果要知道反射衰减量的话、请参看毫米波 相对介电常数/介质损耗角正切(εr'/tanδ)和透过衰减测量的系统[rts02]
和同轴管类型以及波导管类型不同、该夹具中并不放置样品、因此不会出现由气隙引起的误差。
另外,由于透镜安装在天线上、因而能得到较高的测试精度、尽管设备较小型化但同样可以通过平面波测量。

其它

平行导体板型 介质 谐振器法 相对介电常数·介电损耗角正切(εr',tanδ)测试设备·系统
dps14002021001-11
主要用于低损耗材料的微波带εr和tanδ高精度测试的设备。
应用于圆柱体试样。
另外,这是JIS规格中JIS R 1627中规定的测试方法。
椭圆偏光法 相对介电常数,相对磁导率(εr'/μr')测试设备·系统
dps02002051012-05
由于它是标量测试,因此无需昂贵的矢量网络分析仪。 另外,通过测试TE波的振幅比和相位与反射系数的TM波之间的差值,可以得出复数相对介电常数和复导磁率。 与同轴管类型和波导类型不同,该结构中没有放置样品,因此也不会出现由气隙引起的误差。 而且,由于透镜安装在天线上,尽管小型但能通过平面波测试。 另外,由于可以在天线附近设置试样,所以试样可更小。
   另外,εr和μr针对各个频率都是可知的。
毫米波 相对介电常数·介电损耗角正切(εr',tanδ)测试用遮断圆柱形波导
dps20002001011-01
主要用于毫米波电路的低损耗介电基片的遮断圆柱形波导,介电常数·介电损耗角正切(εr',tanδ)的测试。