MOSFET構造半導体空乏層およびゲート電極直下誘電体膜
比誘電率(εr')測定装置・システム

Model No. DPS48

MOSFET構造半導体空乏層およびゲート電極直下誘電体膜の比誘電率を測定するシステムです。
絶縁膜の厚み、およびドーピング濃度が必要です。※バイアス使用

仕様

測定周波数対応範囲

20Hz ~ 2MHz
※機種により異なる

測定の範囲および精度

比誘電率:1.05-1000　　　精度±3%~7% (LCRメータ機種および測定環境に依存する）
*LCRメータ機種例

測定可能温度（対応ジグを使用）

10k~200℃　
※詳細はお問い合わせください。
※キーコムの超低温用製品のノウハウを活かし、10K~の低温用クライオスタットをご用意しております。

-測定は自動で行います。
-電極構造を工夫することにより、100MHzまでの測定が可能です。

部位	仕様	周波数範囲	部品番号
静電容量計(本体)	20Hz-2MHz用その他ご要望にあわせてご提案いたします。	-	CME-20Hz-2MHz
測定用電極 ※温度変化をご希望の場合にはお知らせください	半導体用測定電極	1цHz ~ 2MHz	DPT-009
誘電率解析プログラム	excel処理可能	-	DMP-002040705-05
USBタイプGPIBカード	コンピュータと測定器の接続に使用いたします。	-	GP-01
パーソナルコンピュータ	Windows対応	-	-
恒温槽	ご希望をお知らせください。ご要望にあわせてご提案いたします。	-	TCOV-03
恒温槽制御プログラム	-	-	DMP-x

測定結果はコンピュータで計算処理され、上記のようなグラフとしてプリントアウトされます。
また、数値もファイル化され、EXCEL等で各種の加工ができます。