300GHz~1μHz(超高频/毫米波/微波/UHF/VHF/超低频)的KEYCOM
可根据要求进行少量的设计・生产・测试。敬请垂询。

相对介电常数/介电损耗正切/介电损耗/相对磁导率 测量服务(试验委托)
[超高频/毫米波/微波/ UHF / VHF /超低频]

Model No. u
丰富的测量介电常数经验,每年超过1000的样件

基于丰富的测量介电常数经验--每年超过1000的样件-- 和开发、制造高性能测量设备的技术*,KEYCOM可以为您提供精确的相对介电常数/介电损耗正切/介电损耗/相对磁导率 测量服务。

其特点如下;

・±1%的高精度 
・无损 
・可对应0.1μm极薄膜 
・可测量固体,薄片,薄膜,粉末,液体(包括油等),多层结构等。
・可测量范围 10μHz-110GHz(複数機器使用)

*另外,可测量电导率,电阻等。

可测量范围

频率

100Hz~110GHz(170GHz)

可测样件形状

固体,薄膜,超薄膜(薄膜),多层结构(多层体),体模,噪声抑制片,液体,粉末等。在此只列出基本的样件。详细内容请咨询。

测量材料示例

PTFE(铁氟龙),PFA,FEP,ETFE,聚酰亚,尼龙,聚氨酯,聚乙烯,PVC,高纯氧化铝,蓝宝石,石英玻璃,陶瓷,硅基底,绝缘膜,聚酰胺酰亚胺,乙醇,玻璃,钠,PET,聚酰胺,甲醇,酯,多孔硅,多孔二氧化硅,low-k材料等

KEYCOM被选为IEC,JIS委员

KEYCOM的介电常数和介电损耗正切测量服务交付时间

快速精确测量

敢于创新,克服测量困难

对于技术上困难的要求和测量,如果理论上可能的话,基于各种测量设备开发经验,我们努力使测量成为可能。请咨询我们。 (需要比平时更多的时间。3周〜)

示例)2005年11月开发的测量方法→低频下超薄薄膜(0.01μm)的介电常数和介电损耗正切测量

联系、咨询方法

E-mail:info@keycom.co.jp  FAX: 03-5950-3380(如果您急忙拨打TEL 03-5950-3101)

请填写以下信息(只有您能理解),并随时与我们联系。

如有必要,请使用以下“报价单”。销售代表或技术代表将与您联系(我方可以用中文沟通!)。


询价单(MS-Word)

询价单(PDF)

下载后,可以打印或保存。填写必要的信息,然后通过e-mail发送。

介电常数测量方法的选择 [示例]

以下信息仅作参考。 若您让我们知道材料的形状和特点等信息,我们可以提出一个合适的测量方法。

按测量样件选择

在此只列出有代表性的。其他的请咨询。
Ο : 最佳
∆ : 可以测量
    多层结构 印刷电路板 薄膜 超薄膜 粉体 片材 硅胶假人 电波吸收材料 噪声抑制片 土壤 混泥土
・沥青
水果
蔬菜
液体 天线罩
陶瓷 介电共振器 半导体 铁电体  
1 .开放式谐振器法 18GHz~110GHz Ο Ο Ο Ο Ο   共振法系列
适用于低损耗材料
高精度
频点
不用相位测量
2. 摄腔谐振器法 200MHz~10GHz Ο Ο Ο Ο Ο Ο Ο Ο   Ο
3. 带状线谐振器 800MHz~14GHz Ο Ο Ο Ο
4. 微带线谐振器 800MHz~14GHz Ο Ο Ο Ο
5. 圆板谐振器法 3GHz~70GHz Ο Ο Ο Ο
6. LC谐振器法 10MHz, 50MHz, 100MHz Ο Ο Ο      
7. 平行导体板型介电谐振器法 3GHz~26.5GHz Ο Ο  
8. 自由空间频率变化法
2.6GHz~110GHz Ο Ο Ο Ο Ο Ο           频率変化法系列
适用于低损耗材料
适用于高厚度材料
9. 封闭系统的频率改变方法(同轴管,波导) 10MHz~60GHz Ο Ο   Ο Ο Ο           Ο
10. 探测法(开放式)S参数法 30MHz~90GHz Ο Ο Ο Ο Ο Ο S参数法系列
适用于高损耗材料
精度低,但可测量广泛的频率特性
12.13.14. 可同时测量磁导率
11. 探测法(短路)S参数法 100kHz~10GHz Ο Ο
12. 封闭系统S参数法(同轴波导,波导)
μr可同时测量
12MHz~40GHz Ο Ο Ο Ο
13. 自由空间S参数法
μr可同时测量
2.6GHz~110GHz   Ο               Ο
14. 自由空间入射角变化法S参数法
μr可同时测量
2.6GHz~110GHz Ο Ο Ο Ο Ο
15. 传播延迟同轴管式S参数法
45MHz~40GHz Ο Ο Ο Ο Ο Ο Ο
16. 低频开放式同轴反射法 1MHz-1GHz Ο Ο        
17. 电容法 1Hz~1GHz Ο Ο Ο Ο 电容法系列
可测量低频段
高精度
可测量广泛的频率特性
18. MOSFET结构半导体耗尽层
以及栅电极正下方的电介质膜
20Hz~2MHz               Ο
19. 椭偏法
μr可同时测量
26.5~110GHz Ο Ο Ο 椭偏法系列

 

按频段,相对介电常数,介电损耗角正切(εr',tan&δ)选择

按频段,相对介电常数,介电损耗角正切(εr',tan&δ)选择

测量频率,方法,样件尺寸(液体量)

有关测量频率,方法,样件尺寸(液体量)的事宜 "请参考" 

按您的需求的选择

在此只列出有代表性的例子。其他场合或详细内容请咨询。

想要高精度测量印刷电路板上的薄膜
  (薄膜测量/多层测量)
摄动法
想高精度地测量无法独立存在的胶片等
(薄膜测量/多层测量)
摄动法
想高精度(εr +-1% tanδ+-3%)地测试 摄动法
只有大约1毫米的小样件 探测法
想以非常高的频率(20GHz-110GHz)进行高精度的测量 开放式谐振器法
想以非常低的频率(10μ Hz-10Hz)进行测量 电容法
想测量液体 探测法
像测量粉体 探测法
想测量汽油等挥发物 探测法
想在改变温度的同时进行测量 电容法
无论测量精度(εr' ±7% tanδ±10%)、频率如何
也想得到大致确定数据
S参数法
样件很大,但不想剪或不能剪
(无损)
微带线法
(谐振方式)
想简单地测量 探测法
想同时测量介电常数,介电损耗正切和磁导率 S参数法

KEYCOM测量设备和技术的特点

  • KEYCOM长期以来为客户提供测量服务,因此可以利用丰富经验提出准确的测量方法和设备方案。
  • 由于它是在日本制造的,因此您可以得到先进的技术咨询。
  • 社长是IEC(国际电工委员会)的委员会成员
  • KEYCOM自主开发的介电常数/磁导率测量装置和电波吸收测量装置已成为IEC和JIS标准。

    介电常数/磁导率测量设备

  • 可针对大多数固体,片状,薄膜,粉末,液体(包括油等),多层结构等要求提出测量设备方案。(可定制。基于我们丰富的测量经验以及开发高频组件,线缆等的经验,可做出准确的答复。)
  • 可针对10μHz至110GHz的测量要求提出测量设备方案。
  • 在微波频带测量中,可提出εr'精度为±1%,tanδ的精度为±3%的设备方案。
  • 在毫米波波段测量中,可提出εr'精度为±3%,tanδ的精度为±7%的设备方案。
  • KEYCOM被选为有关介电常数测量的IEC委员会和JIS委员会的成员。
  • 由于它是在日本制造的,因此您可以得到先进的技术咨询。
  • 谐振法(JIS,开放谐振法JIS R 1660-2)
           (Keycom Yosuke Suzuki作为委员会成员参加了该标准的起草,并于2004年春季制定)

    谐振法 开放型谐振器 用于片材和超薄片材的毫米波相对介电常数和介电损耗角正切(εr'/tanδ)测量设备/系统
    dps03002990714-18
    由于使用的是开放式谐振器类型的Fabry-Perot谐振器,因此它在毫米波范围内具有很高的测量精度,并且是与薄膜兼容的测量设备,可轻松加载和卸载样品。另一个特点是,即使tanδ很小,也可以进行测量。
    测量在WindowsPC上自动进行。
    发表于2005 IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference OTTAWA,ONTARIO,CANADA。
    该技术成为JIS标准(2004年) JIS R 1660-2
    ・ εr ±3% tanδ ±7% 的高精度测量
    ・ 10μm~0.1mm极薄膜也可测量
    ・ 操作简单
    ・ 测量范围 18GHz-110GHz
    谐振法带状线型片材相对介电常数,介电损耗角正切(εr'/tanδ) 测量设备/系统
    dps50002070405-07
    此系统测量在800MHz至14GHz的频率下介电损耗相对较小的片材的r和tanδ,r约为1至40。
    基于ASTMD3380 Standard method of Test for Permittivity (Dielectric Constant) and Dissipation Factor of Plastic-Based Microwave Circuit Substrates以及IPC-L-125 Specification for Plastic Substrates, Clad or Unclad, for High Speed/High Frequency Interconnections 可测量和测量r,tanδ的测量套件。
    谐振法微带线型片材/超薄片材相对介电常数,介电损耗角正切(εr'/tanδ)测量设备/系统
    dps01002000313-08
    此系统测量在800MHz至14GHz的频率下介电损耗相对较小的片材的r和tanδ,r约为1至40。
    基于ASTMD3380 Standard method of Test for Permittivity (Dielectric Constant) and Dissipation Factor of Plastic-Based Microwave Circuit Substrates以及IPC-L-125 Specification for Plastic Substrates, Clad or Unclad, for High Speed/High Frequency Interconnections 可测量和测量r,tanδ的测量套件。

    摄动法

    摄动法封闭样件孔腔谐振器法用于超薄片材相对介电常数和介电损耗角正切(ε r'/tanδ)
    dps18002031022-11
    这是用于在样件的微波中测量r和tanδ的高精度摄动测量仪,符合ASTM D2520。 该方法是基于1992年的JIS标准JIS C2565中规定的方法,通过将金属插入样件 的孔进行封闭来提高测量精度。
    ・±1% tanδ ±3% 的高精度测量
    ・0.1μm极薄膜極也可测量
    ・多层体(蒸发膜等)可测量
    ・测量固体,薄片,薄膜,粉末,液体(包括油等),多层结构等。
    ・操作简单
    ・测量范围200MHz-20GHz

    传播延迟法

    该测量方法在2002年12月的IEICE Transactions C Vol.J85-C No.12 PP.1149-1158中被采用。
    传播延迟法切入式同轴管法相对介电常数和介电损耗角正切(εr'/tanδ)测量设备/系统
    dps05002981027-10
    此设备/系统可在45MHz至40GHz的频率下测量r约为1.05至500的液体的εr', tanδ。通过施加偏置,还可评估εr'和tanδ的电压依赖性。
    传播延迟法切回式自由空间法相对介电常数和介电损耗正切(εr',tanδ)测量设备/系统
    dps06002000831-05
    在500 MHz至40 GHz频率下测量r约为1.05至500的材料的εr'和tanδ的测量设备和系统。对于大损耗样品的测量特别有效。
    传播延迟法切回型共面线法相对介电常数和介电损耗角正切(εr',tanδ)测量设备/系统
    dps07002010619-24
    在500MHz至65GHz频率下测量液体的εr'和tanδ的测量设备和系统。进行测量以使液体覆盖共面线的厚度约为0.2毫米,此外,该系统还结合了共面线电磁场模拟软件以形成液体和共面线。液体的εr'和tanδ由介电常数和有效tanδ的有效相对介电常数得出。通过施加偏压,可以评估液晶的εr'和tanδ的电压依赖性。
    传播延迟法切回式带状线法相对介电常数和介电损耗角正切(εr',tanδ)测量设备/系统
    dps15

    这是用于在500MHz至40GHz频率下测量介电板和粘土材料的εr'和tanδ的测量设备。当测量粉末等时,可以添加用于根据体积比重和真实比重计算真实介电常数和tanδ的软件,温度测量设备和温度依赖性计算软件作为选项。可以通过施加偏置来评估εr'和tanδ的电压依赖性。

    探测法

    探针法开放式相对介电常数和介电损耗角正切(εr'/tanδ)测量设备/系统
    dps16002021001-11
    ・可以从低频(200MHz)到高频(90GHz)中选择。
    ・可以使用固体,液体和粉末作为样件。
    ・除纯水(丙酮等)外,还可以使用参考/标准样件。
    ・操作简便。
    KEYCOM探测法的特点
  • 可以使用纯净水以外的标准样件
  • 除纯水外,丙酮也可用作校准标准。丙酮因其介电常数和其他特性而被很好地表征。另外,它几乎不吸收空气中的水分,几乎不劣化,并且具有不同于纯水的介电性能。
  • 多种类型的探头
  • 当样品为粉末时,外径为φ1.2mm,3.62.2mm,3.63.6mm和6.6φ6.6mm的探头有效。如果晶粒较大,请使用外径较大的探头。
  • 频率范围宽
  • 常用探测方法的上限频率为50 GHz。但是,Keycom可以使用高达90GHz的频率。
    探测法(短路)相对介电常数和介电损耗正切(εr'/tanδ)测量装置/系统
    dps25002021001-11
    ・可从低频(100KHz)到高频(10GHz)进行测量。
    ・可使用固体和液体作为样件。
    ・垂直于样件表面的电场与微带线和带状线的电场方向相同。
    ・通过使用两种类型的电极,可以覆盖较宽的频率范围。

    S参数法

    S参数法反射法和传输法同轴管,波导类型,相对介电常数,介电损耗角正切,相对磁导率(εr'/tanδ/μr'/μr'')测量设备/系统
    dps08002011118-04
        该测量装置可以通过反射法和透射法这两种测量方法进行测量,并且可以根据目的适当地使用。在这两种情况下,都可以同时测量复数εr和复数μr。
    由复数εr和复数μr计算出无线电波吸收材料的吸收率和反射率。
    S参数法自由空间型平板反射法相对介电常数和相对磁导率(εr'/μr')测量装置
    dps09002981027-08
    与同轴波导管类型和波导管类型不同,夹具中没有放置任何样件,因此不会因气隙而产生误差。另外,根据样件的位置,当特性不均匀或不均匀时,可以获得实用数据。
    另外,由于将透镜安装在天线上,因此能够以紧凑的状态利用平面波来测定样件。
    通过将矢量网络分析仪和计算机连接到测试夹具并观察S参数S11来进行测量。
    S参数法自由空间型平板的透射法相对介电常数,相对磁导率(εr'/μr')测量装置
    dps21002040614-08
    与同轴波导管类型和波导管类型不同,夹具中没有放置任何样件,因此不会因气隙而产生误差。另外,根据样件的位置,当特性不均匀或不均匀时,可以获得实用数据。
    另外,由于将透镜安装在天线上,因此能够以紧凑的状态利用平面波来测定样件。
    通过将矢量网络分析仪和计算机连接到测试夹具并观察S参数S21和S11来进行测量。

    电容法

    电容法:平板,液体,凝胶,超薄膜,复合薄膜 相对介电常数和介电损耗正切(εr'/tanδ)测量装置/系统
    dps17002020619-17
    测量各种介电材料的电容,相对介电常数和介电损耗角正切。
    它具有高精度分辨率和宽范围的测量范围。

    入射角和相位变化方式

    入射角变化法 相对介电常数,介电损耗正切,相对磁导率(εr'/tanδ/μr'/μr'')测量设备/系统
    dps22002040516-08
    测量TE和TM波的回波损耗和入射角的相位角依赖性。
    复数相对介电常数和复数渗透率是通过从这些测量值进行逆估计而获得的。与同轴波导管类型和波导管类型不同,夹具中没有放置任何样品,因此不会因气隙而产生误差。另外,由于将透镜安装在天线上,因此尽管紧凑,但是也可以利用平面波来进行试样的测量,因此可以获得较高的测量精度。此外,由于从天线发射的无线电波是平行波束,因此可以减小样本。
    注意,对于每个频率,εr和μr都是已知的。
    相位变化法 介电常数(εr')测量系统
    dps24002040619-09
    利用将无线电波照射到平板上时的传输衰减的频率特性取决于εr和μr这一事实,将逆估计用作测量方法。另外,由于将透镜安装在天线上,因此,无论紧凑性如何,都可以利用平面波来对样件进行测量,从而可以得到较高的测量精度。另外,由于可以将样件设置在天线附近,因此可以使样件更小。注意,εr和μr是测量频率下的平均值。

    其他

    平行导体板型介电共振器方法 相对介电常数和介电损耗正切(εr',tanδ)测量装置/系统
    dps14002021001-11
    它是高精度测量设备,主要用于低损耗材料的微波带和ε,tan和δ。
    另外,使用圆柱形样品。
    这是JIS标准JIS R 1627中指定的测量方法。
    椭偏仪相对介电常数,相对磁导率(εr'/μr')测量设备/系统
    dps02002051012-05
    由于它是标量测量,因此不需要昂贵的矢量网络分析仪。另外,通过测量反射系数TE波和TM波的振幅比和相位之差,可以得到复数相对介电常数和复数磁导率。与同轴波导管类型和波导管类型不同,夹具中没有放置任何样件,因此不会因气隙而产生误差。另外,由于将透镜安装在天线上,因此,无论紧凑性如何,都可以利用平面波来测定样件。还有,由于可以将样本设置在天线附近,因此可以使样件更小。
      您可以得到每个频率的εr和μr。
    毫米波相对介电常数和介电损耗正切(εr',tanδ)测量截止圆柱波导
    dps20002001011-01
    测量相对介电常数和介电损耗角正切(εr',tanδ)的截止圆柱波导,主要是用于毫米波电路中的低损耗介电基片的。
     
    测量频率,方法,样品量(液体量)清单

    *在此只列出基本的尺寸和数量。若您有指定尺寸的样件,请与我们联系。

    100-100KHz
    固体
    方式 样件尺寸,形状
    电容法 30mm×30mm
    厚度2mm以下
    液体
    方式 样件尺寸・形状

    电容法,圆柱式 

    400ml 以上

    5M-40GHz
     【固体】
    方式 频带 样件尺寸・形状
    摄腔谐振器法 1.2.3.5.10GHz 杆(直径:取决于频率)         薄膜
    长度30±0.05mm            宽度30±0.05mm
    厚度 φ5mm以下か5mm□以下   长度20~50mm
    带状线谐振器法
    (微带线谐振器法)
    600M-15GHz 约50mmx100mm
    (除了模式创建之外)
    平行导体板型介电谐振器法 1-26.5GHz

    圆柱(1个频率)

    h=0.5d[mm]

    传播延迟法 400MHz-40GHz 1个范围
    30mmx300mm
    厚度 约2mm以下
    S参数反射法 39D 45M-3GHz φ39mm 
    厚度2mm以下
    APC7 500M-18GHz φ7mm
    厚さ1mm以下
    S参数传输法 39D 45M-3GHz用 φ39mm 
    厚度2mm以上
    APC7 500M-18GHz φ7mm
    厚度1mm以上
    入射角変化法
    相位変化法
    2.6GHz-110GHz 400mmx600mm
    厚度 约1-50mm
     【液体、粉体】
    方式 样件尺寸
    探测法 300MHz-40GHz 10cc
    传播延迟法 400MHz-40GHz 10cc(1个范围)
    10公升(1个范围)

    18-110GHz
    固体
    方式 样件尺寸
    开放式谐振器法(法布里-珀罗方法) 18-110GHz 70mmx70mmx0.2mm以下

    自由空间法 2.6GHz-110GHz 400mmx600mm
    厚度 约1-50mm